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文檔簡介
1、目的:以人支氣管上皮細胞株HBE為研究體系,探討矽塵是否能在體外誘導(dǎo)人支氣管上皮細胞(HBE)發(fā)生上皮-間質(zhì)轉(zhuǎn)型(EMT)以及Rho/ROCK信號通路在矽塵誘導(dǎo)HBE細胞發(fā)生上皮-間質(zhì)轉(zhuǎn)型中的作用機制。 方法:(1)倒置顯微鏡觀察矽塵處理后HBE細胞形態(tài)學(xué)改變;(2)免疫細胞化學(xué)SP法(Immunocytochemical s-p method)及Western Blot檢測不同濃度矽塵(0μg/ml,50μg/ml,100μg
2、/ml,200μg/ml,300μg/ml)處理后HBE細胞72h后上皮細胞標(biāo)志物E-鈣粘蛋白(E-cadherin,E-cad)和間質(zhì)細胞標(biāo)志物波形蛋白(Vimentin)、α-平滑肌肌動蛋白(α-SMA)表達的改變;(3)體外劃痕實驗檢測矽塵處理后HBE細胞遷移能力變化;(4)使用Rho活性檢測試劑盒行GSTPull-down檢測矽塵處理HBE細胞不同時間點(0h,1h,2h,6h,12h,24h)Rho活性改變;(5)免疫細胞化學(xué)
3、SP法及Western Blot檢測經(jīng)不同濃度Rho/ROCK信號通路特異性抑制劑Y-27632(10μM,20μM,30μM)預(yù)處理后,矽塵誘導(dǎo)的HBE細胞E-cad、Vimentin和α-SMA表達的改變,體外劃痕實驗檢測細胞遷移能力的變化。 結(jié)果:(1)矽塵作用于HBE細胞72h后,細胞間隙增大、離散成單個,形態(tài)呈紡錘形、梭形;(2)免疫細胞化學(xué)結(jié)果顯示,200μg/ml矽塵作用于HBE細胞,上皮細胞標(biāo)志物E-cad表達下
4、調(diào),而間質(zhì)細胞標(biāo)志物Vimentin和α-SMA表達上調(diào).(3)免疫印跡結(jié)果顯示,0~300μg/ml矽塵作用于HBE細胞,上皮細胞標(biāo)志物E-cad蛋白表達水平與0μg/ml組相比呈濃度依賴性降低(100μg/ml、200μg/ml、300μg/ml P<0.05);間質(zhì)細胞標(biāo)志物Vimentin蛋白表達水平升高并呈濃度依賴,矽塵濃度為300μg/ml時Vimentin的表達最強,為0μg/ml組的(7.30±3.02)倍(P<0.05
5、);在0~200μ g/mlα-SMA蛋白表達水平升高,矽塵濃度為200μg/ml時表達最強,為0μg/ml組的(5.09±1.98)倍(P<0.05),矽塵濃度在200~300μg/ml時,α-SMA表達略有下降,但仍顯著高于0μg/ml組(P<0.05);(4)矽塵作用于HBE細胞72h后行劃痕試驗,自劃痕后6h起,處理組細胞體外劃痕愈合面積明顯大于對照組(P<0.05)。(5)矽塵作用于HBE細胞能誘導(dǎo)Rho活化,于2h開始出現(xiàn)R
6、ho活性升高,為0h組的(3.09±0.30)倍(P<0.05),于6h到達高峰,為對照組的(7.36±1.08)倍(P<0.05),之后Rho活性逐漸減弱,但仍顯著高于0h組(P<0.05)(6)干預(yù)實驗中,免疫細胞化學(xué)結(jié)果顯示,Y-27632(30μM)上調(diào)E-cad表達,而下調(diào)Vimentin和α-SMA表達.(7)免疫印跡結(jié)果顯示,Y-27632(20,30μM)干預(yù)組,E-cad表達分別為SiO2(200μg/ml)處理組的(
7、1.98±0.38)倍和(2.17±0.51)倍(P<0.05),Vimentin和α-SMA表達減少,抑制率分別為64.32%,69.45%,和70.30%,78.37%(P<0.05).(8)自劃痕后12h起,Y-27632(30μM)+SiO2(200μg/ml)組體外劃痕愈合面積明顯小于SiO2(200μg/ml)組(P<0.05)。 結(jié)論:(1)矽塵可誘導(dǎo)HBE細胞發(fā)生上皮-間質(zhì)轉(zhuǎn)型;(2)矽塵可活化HBE細胞的Rho
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