聚乳酸微柱陣列型拓撲結構基底上SH-SY5Y細胞VEGF及IL-8的分泌及表達.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、以紫外光光刻、硅蝕刻及復制模塑技術制備了聚乳酸（PLLA）微柱陣列型拓撲結構基底，考察了SH-SY5Y人神經母細胞瘤細胞在拓撲結構基底上的生長及血管內皮生長因子（VEGF）和白細胞介素-8（IL-8)的分泌及表達。細胞的形態(tài)及鋪展采用掃描電子顯微圖像進行分析，細胞在拓撲結構基底上生長24h后的VEGF及IL-8分泌量采用ELISA進行檢測，VEGF及IL-8在mRNA水平的表達量以實時定量PCR進行評價。實驗中成功制備了微柱名義直徑為2

2、μm和4μm、微柱名義間距為2μm和7μm的4種拓撲結構基底。研究發(fā)現，SH-SY5Y細胞在2-2μm(微柱名義直徑-名義間距）、4-2μm、4-7μm拓撲結構基底上的VEGF和/或IL-8分泌量和表達較之PLLA平面基底上相應值出現上調，而在2-7μm拓撲結構基底上VEGF及IL-8二者均表現出表達和分泌量大幅度和明顯的上調。與在PLLA平面基底上相比，SH-SY5Y細胞在拓撲結構基底上表現出細胞形態(tài)（鋪展面積及圓度）的明顯變化，細胞

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