工頻磁場誘導FL細胞活性氧產(chǎn)生的機制及其與細胞膜受體聚簇的相關性研究.pdf

1、目的:研究工頻磁場誘導FL細胞活性氧產(chǎn)生的機制及其與表皮生長因子受體(EGFR)聚簇之間的關系。
　　方法:以人羊膜FL細胞為研究對象，將其暴露于0.4mT、50Hz的工頻磁場，采用活性氧試劑盒檢測工頻磁場暴露對細胞內(nèi)總活性氧水平的影響并確定其閾強度，利用化學發(fā)光法分析工頻磁場暴露對胞內(nèi)NADPH氧化酶活性的影響，采用線粒體ROS探針和胞漿ROS探針技術分析工頻磁場暴露對細胞線粒體和胞漿內(nèi)的ROS水平的影響，利用免疫化學熒光及激光

2、共聚焦顯微鏡技術分析NADPH氧化酶在工頻磁場誘導EGFR聚簇中的作用，運用SAS9.1軟件對實驗數(shù)據(jù)進行配對t檢驗、方差分析和SNK檢驗并統(tǒng)計分析。
　　結(jié)果:研究結(jié)果顯示，0.4mT的工頻磁場暴露5min、15min和30min后，F(xiàn)L細胞內(nèi)的總ROS水平均升高，且差異均具有統(tǒng)計學意義（P＜0.05）;而暴露60min后，F(xiàn)L細胞內(nèi)的總ROS水平與假暴露組無顯著差異（P＞0.05）。0.2mT的工頻磁場暴露15min也能誘導F

3、L細胞內(nèi)的總ROS水平明顯升高（P＜0.05）;而0.1mT的工頻磁場暴露15min不能升高細胞內(nèi)的總ROS水平（P＞0.05）。0.4mT的工頻磁場暴露15min和30min后，可誘導FL細胞線粒體內(nèi)ROS顯著升高（15min組P＜0.01，30min組P＜0.05），而暴露5min和60min后，線粒體內(nèi)ROS水平與假暴露組均無差異(P＞0.05);0.4mT的工頻磁場暴露5min、15min和30min后，同樣可誘導FL胞漿內(nèi)的R

4、OS水平升高，且差異均具有統(tǒng)計學意義（P＜0.05），而暴露60min后，胞漿內(nèi)的ROS水平與假暴露組無差異（P＞0.05）。0.4mT的工頻磁場暴露5min、15min和30min后，F(xiàn)L細胞內(nèi)NADPH氧化酶的活性與假暴露組比較均升高（P＜0.05）;而暴露60min后，胞內(nèi)NADPH氧化酶活性與假暴露組無差異（P＞0.05）。經(jīng)NADPH氧化酶抑制劑DPI（1μM）預處理15min后，0.4mT工頻磁場暴露組細胞內(nèi)總活性氧水平和胞

5、漿內(nèi)的活性氧水平均比未經(jīng)DPI處理組低（P＜0.05），且與假暴露組相比均無差異;而0.4mT工頻磁場暴露15min和30min誘導的線粒體活性氧產(chǎn)生均不能被DPI（1μM）抑制（P＞0.05）。0.4mT工頻磁場暴露15min后，發(fā)生EGFR聚簇細胞的百分率顯著增加（P＜0.01）;而DPI（1μM）預處理15min后，可抑制工頻磁場誘導的細胞膜EGFR聚簇。
　　結(jié)論:
　　基于本研究的結(jié)果，可以獲得以下結(jié)論: