基于非易失存儲(chǔ)器應(yīng)用的鈦基納米晶制備工藝的研究.pdf

1、隨著集成電路的技術(shù)節(jié)點(diǎn)不斷向前推進(jìn)，傳統(tǒng)的浮柵存儲(chǔ)器和SONOS 存在著固有的局限性，而以利用硅材料或金屬納米晶制造的閃存存儲(chǔ)器很容易克服這些的局限性，所以引起了大家的廣泛注意。另外金屬納米晶具有態(tài)密度高、費(fèi)米能級(jí)選擇范圍廣以及無(wú)多維載流子限制效應(yīng)等優(yōu)越性，所以金屬納米晶閃存儲(chǔ)器在下一代閃存器件中具有很好的應(yīng)用前景。對(duì)納米晶存儲(chǔ)器來(lái)說(shuō)，如何得到均勻的，密度，大小合適的納米晶是關(guān)鍵。 本文就是致力于一種Ti 基納米晶金屬納米晶

2、制備的研究。重點(diǎn)闡述了如何利用簡(jiǎn)單的氣相沉積（PVD,CVD）法獲得均勻，高密度的金屬納米晶。另外，對(duì)于均勻性，尺寸要求嚴(yán)格的納米晶，如何檢測(cè)也是關(guān)鍵， 本文除了利用傳統(tǒng)的SEM和TEM 方法檢測(cè)到了Ti 基納米晶，還首次利用Quantox 機(jī)臺(tái)對(duì)Ti 基納米晶的電學(xué)隔離和存儲(chǔ)特性進(jìn)行檢測(cè)，這為今后實(shí)際生產(chǎn)過(guò)程中，納米晶的選擇和在線(xiàn)測(cè)控提供了一種簡(jiǎn)單的方法。 本文所制備的納米晶和對(duì)納米晶的檢測(cè)方法有望進(jìn)一步的應(yīng)用在今后納